行业研究报告：全球HBM行业再上新台阶 中国企业取得突破

据聚亿信息咨询最新发布的《全球高带宽存储器（HBM）行业报告》显示，高带宽存储器（HBM）是基于 2.5/3D 先进封装技术，通过硅穿孔（TSV）工艺将多块 DRAM 芯片垂直堆叠，并与 GPU 芯片合封的 DDR 组合阵列，核心优势在于实现大容量与高位宽的双重突破，为 AI 算力与数据中心存储提供关键支撑。​

二、技术迭代二十年：从 HBM1 到 HBM4 的性能飞跃​
HBM 技术发展已历经五代迭代：2013 年 JEDEC 发布首个 HBM 标准 JESD235A，2014 年 SK 海力士与 AMD 联合推出首款商用 HBM 产品，标志技术商业化起步。2015-2023 年间，HBM1 至 HBM3E 相继落地，芯片容量从 1GB 跃升至 24GB，带宽从 128GB/s 突破至 1.2TB/s，数据传输速率达 9.2Gbps。​
2025 年 4 月 JEDEC 发布的 HBM4 标准成为行业新标杆：采用 2048 位接口设计，传输速率 8Gb/s，总带宽突破 2TB/s，同时引入 1.1V/0.9V 低电压选项，能效提升显著。聚亿信息咨询分析指出，HBM 技术迭代周期已从 3 年缩短至 1.5 年，技术竞赛进入白热化阶段。​


三、全球市场竞争格局：三巨头主导与中国突围​
头部企业格局：2024 年全球 HBM 市场呈现 “一超两强” 态势 ——SK 海力士以 54% 份额居首，其 HBM3E 产能 2025 年已全部售罄，且率先完成 HBM4 量产体系构建，计划 2026 年下半年量产 12 层产品；三星以 39% 份额紧随其后，正加速平泽 P5 工厂建设抢占产能；美光以 7% 份额追赶，其 HBM3E 8H 已应用于英伟达 GB200 平台，预计 2025 财年 HBM 收入超 10 亿美元。​

中国企业突破：面对供应链压力，国内企业实现关键突破：长鑫存储联合华为、长江存储攻克 TSV 工艺，HBM3 热合键良率从 60% 提升至 89%；通富微电已试产 HBM2 并供应华为，其 2.5D/3D 生产线实现封装技术突破；紫光国微 HBM 芯片进入样品验证阶段，长电科技 XDFOI 平台可支撑 HBM 封装需求。​

四、行业发展趋势：需求爆发与技术革新​
聚亿信息咨询数据显示，受 AI 算力爆发与数据中心需求驱动，2025 年全球 HBM 位出货量将达 4.1B GB（同比 + 46.4%），收入达 307 亿美元（同比 + 80.6%），其中 HBM3E 占比将超 90%。同时行业出现 “排挤效应”：三巨头将 18%-26% 内存产能转向 HBM，导致 DDR4 产能收缩，加速行业向 DDR5 迭代。
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技术创新层面，除 HBM4 迭代外，替代方案同步涌现：三星重启 Z-NAND 技术，目标性能提升 15 倍；NEO Semiconductor 推出 X-HBM 架构，带宽达现有技术 16 倍。聚亿信息咨询预判，2026-2030 年 HBM 将与替代技术形成互补，推动存储产业重构。